预计2021年将出现另一个半导体超级周期,存储器生产商竞争加剧

站长之家(ChinaZ.com)12月22日 消息:外媒分析称,预计2021年将出现另一个半导体超级周期,半导体公司正在加大努力以获取更大的市场份额。尤其在存储器半导体市场中,对新技术的竞争正在加剧。

三星电子计划在2021年下半年正式推出DDR5DRAM。DDR5DRAM作为下一代产品,其传输速度和容量都比当前市场主流DDR4DRAM快得多。它们可以达到每秒6400Mbps的速度传输数据,是DDR4DRAM的3200Mbps的两倍。

DDR5DRAM的工作电压为1.1V,这比DDR4芯片的1.2V降低了9%。 DDR5的最大容量为64Gb,是当前DDR4的四倍。 DDR5产品有望提高芯片制造商的盈利能力,因为其单价高于DDR4DRAM。DDR4DRAM的单价比DDR3DRAM高1.5倍,DDR5DRAM的价格涨幅应该也是差不多。

业内观察家称,三星电子可能会加快DDR5DRAM的发布,因为许多专家预测明年将出现另一个存储超级周期。他们指出,SK海力士于去年10月6日首次在全球发布DDR5DRAM。

DDR5DRAM在存储器市场中的份额有望快速增长。市场研究公司TrendForce预测,DDR5在PC DRAM市场中的份额将从2020年的不到1%增长到2021年的10%。分析师预测,他们在服务器DRAM市场中的份额将从2020年的4%增加到15%。

此外,芯片制造商也在NAND闪存市场上竞争激烈。他们竞相开发领先于竞争对手的下一代制造工艺,并进行并购交易以获取新技术。

美国美光公司在今年11月宣布,已开始全球首次批量生产176层NAND闪存。该公司表示,新的176层NAND产品在读写数据方面的性能提高了35%以上,与同类最佳竞争对手相比,其尺寸减少了30%。

SK海力士还于12月7日宣布,继美光之后,已于12月初开发了176层4D NAND闪存。 SK海力士强调说,新产品发布同时其生产率提高35%以上,176层NAND将提高其价格竞争力。

三星电子泽计划在2021年发布第七代V-NAND闪存产品。理论上,第七代V-NAND闪存最多可以具有256层。

得益于去年10月从英特尔收购NAND闪存业务,SK海力士将其在全球NAND市场的市场份额扩大至23%左右。市场研究公司Omdia表示,截至2020年第二季度,三星电子以33.8%的份额在全球NAND市场中排名第一。 铠侠(前身为东芝存储)以17.3%位居第二,西部数据以15%位居第三,英特尔以11.5%位居第四,而SK海力士以11.4%位居第五。

市场专家预测,NAND闪存市场将比DRAM市场增长更快。“由于智能手机5G以及服务器对SSD的需求,到2024年NAND需求将以每年30%到35%的速度增长,而DRAM年平均增长率为15%到20%。”

来源:站长之家


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